1 前言

　　電路產業已成為國民經濟發展的關鍵，而集成電路設計、制造和封裝測試是集成電路產業發展的三大產業之柱。這已是各和業界的共識。微電子封裝不但直接影響著集成電路本身的電能、機械能、光能和熱能，影響其和成本，還在很大程度上決定著電子整機系統的小型化、多功能化、和成本，微電子封裝越來越受到人們的普遍重視，在和正處于蓬勃發展階段。本文試圖綜述自二十世紀九十年代以來迅速發展的微電子封裝，包括焊球陣列封裝（BGA）、芯片尺寸封裝（CSP）、圓片封裝（WLP）、三維封裝（3D）和系統封裝（SIP）等項。介紹它們的發展狀況和特點。同時，敘述了微電子三封裝的概念。并對發展我國微電子封裝提出了些思索和建議。本文試圖綜述自二十世紀九十年代以來迅速發展的微電子封裝，包括焊球陣列封裝（BGA）、芯片尺寸封裝（CSP）、圓片封裝（WLP）、三維封裝（3D）和系統封裝（SIP）等項。介紹它們的發展狀況和特點。同時，敘述了微電子三封裝的概念。并對發展我國微電子封裝提出了些思索和建議。

　　2 微電子三封裝

　　微電子封裝，先我們要敘述下三封裝的概念。般說來，微電子封裝分為三。所謂封裝就是在半導體圓片裂片以后，將個或多個集成電路芯片用適宜的封裝形式封裝起來，并使芯片的焊區與封裝的外引腳用引線鍵合（WB）、載帶自動鍵合（TAB）和倒裝芯片鍵合（FCB）連接起來，使之成為有實用功能的電子元器件或組件。封裝包括單芯片組件（SCM）和多芯片組件（MCM）兩大類。三封裝就是將二封裝的產品通過選層、互連插座或柔電路板與母板連結起來，形成三維立體封裝，構成完整的整機系統，這封裝應包括連接器、迭層組裝和柔電路板等相關材料、設計和組裝。這也稱系統封裝。所謂微電子封裝是個整體的概念，包括了從封裝到三封裝的內容。我們應該把現有的認識納入微電子封裝的軌道，這樣既有利于我國微電子封裝界與國外的交流，也有利于我國微電子封裝自身的發展。

　　3 微電子封裝

　　集成電路封裝的歷史，其發展主要劃分為三個階段。*階段，在二十世紀七十年代之前，以插裝型封裝為主。包括zui初的金屬圓形（TO型）封裝，后來的陶瓷雙列直插封裝（CDIP）、陶瓷-玻璃雙列直插封裝（CerDIP）和塑料雙列直插封裝（PDIP）。尤其是PDIP，由于能、成本低廉又能批量生產而成為主流產品。第二階段，在二十世紀八十年代以后，以表面安裝類型的四邊引線封裝為主。當時，表面安裝被稱作電子封裝領域的場革命，得到迅猛發展。與之相適應，批適應表面安裝的封裝形式，如塑料有引線片式裁體（PLCC）、塑料四邊引線扁平封裝（PQFP）、塑料小外形封裝（PSOP）以及無引線四邊扁平封裝等封裝形式應運而生，迅速發展。由于密度、引線節距小、成本低并適于表面安裝，使PQFP成為這時期的主導產品。第三階段，在二十世紀九十年代以后，以面陣列封裝形式為主。薄膜多層基板MCM（MCM-D），塑料多層印制板MCM（MCM-L）和厚薄膜基板MCM（MCM-C/D）。

　　3.1焊球陣列封裝（BGA）

　　陣列封裝（BGA）是上九十年代初發展起來的種封裝。

　　BGA封裝的I/O端子以圓形或柱狀焊點按陣列形式分布在封裝下面，BGA的優點是I/O引腳數雖然增加了，但引腳間距并沒有減小反而增加了，從而提了組裝成品率；雖然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，從而可以改善它的電熱能；厚度和重量都較以前的封裝有所減少；寄生參數減小，信號傳輸延遲小，使用頻率大大提；組裝可用共面焊接，。

　　這種BGA的突出的優點：①電能好：BGA用焊球代替引線，引出路徑短，減少了引腳延遲、電阻、電容和電感；②封裝密度；由于焊球是整個平面排列，因此對于同樣面積，引腳數。例如邊長為31mm的BGA，當焊球節距為1mm時有900只引腳，相比之下，邊長為32mm，引腳節距為0.5mm的QFP只有208只引腳；③BGA的節距為1.5mm、1.27mm、1.0mm、0.8mm、0.65mm和0.5mm，與現有的表面安裝工藝和設備相容，安裝可靠；④由于焊料熔化時的表面張力具有"自對準"效應，避免了傳統封裝引線變形的損失，大大提了組裝成品率；⑤BGA引腳牢固，轉運方便；⑥焊球引出形式同樣適用于多芯片組件和系統封裝。因此，BGA得到爆炸的發展。BGA因基板材料不同而有塑料焊球陣列封裝（PBGA），陶瓷焊球陣列封裝（CBGA），載帶焊球陣列封裝（TBGA），帶散熱器焊球陣列封裝（EBGA），金屬焊球陣列封裝（MBGA），還有倒裝芯片焊球陣列封裝（FCBGA。PQFP可應用于表面安裝，這是它的主要優點。但是當PQFP的引線節距達到0.5mm時，它的組裝的復雜將會增加。在引線數大于200條以上和封裝體尺寸過28mm見方的應用中，BGA封裝取代PQFP是必然的。在以上幾類BGA封裝中，FCBGAzui有·希望成為發展zui快的BGA封裝，我們不妨以它為例，敘述BGA的工藝和材料。FCBGA除了具有BGA的優點以外，還具有：①熱能，芯片背面可安裝散熱器；②，由于芯片下填料的作用，使FCBGA抗疲勞壽命大大增強；③可返修強。

　　因為表面組裝板上已經裝有其他元器件，因此必須采用BGA小模板，模板厚度與開口尺寸要根據球徑和球距確定，印刷完畢后必須檢查印刷質量，如不合格，必須將PCB清洗干凈并涼干后重新印刷。對于球距為0.4mm以下的CSP，可以不印焊膏，因此不需要加工返修用的模板，直接在PCB的焊盤上涂刷膏狀助焊劑。需要拆元件的PCB放到焊爐里，按下再流焊鍵，等機器按設定的程式走完，在溫度zui時按下進出鍵，用真空吸筆取下要拆下的元件，PCB板冷卻即可。

　　FCBGA所涉及的關鍵包括芯片凸點制作、倒裝芯片焊接、多層印制板制作（包括多層陶瓷基板和BT樹脂基板）、芯片底部填充、焊球附接、散熱板附接等。它所涉及的封裝材料主要包括以下幾類。凸點材料：Au、PbSn和AuSn等；凸點下金屬化材料：Al/Niv/Cu、Ti/Ni/Cu或Ti/W/Au;焊接材料：PbSn焊料、無鉛焊料；多層基板材料：溫共燒陶瓷基板（HTCC）、低溫共燒陶瓷基板（LTCC）、BT樹脂基板；底部填充材料：液態樹脂；導熱膠：硅樹脂；散熱板：銅。目前，上FCBGA的系列示于表1。

　　3.2 芯片尺寸封裝（CSP）

　　CSP（Chip Scale Package）封裝，是芯片封裝的意思。CSP封裝代的內存芯片封裝，其能又有了新的提升。CSP封CSP封裝裝可以讓芯片面積與封裝面積之比過1:1.14，已經相當接近1:1的理想情況，尺寸也有32平方毫米，約為普通的BGA的1/3，相當于TSOP內存芯片面積的1/6。與BGA封裝相比，同等空間下CSP封裝可以將存儲容量提三倍。

　　芯片尺寸封裝（CSP）和BGA是同時代的產物，是整機小型化、便攜化的結果。美國JEDEC給CSP的定義是：LSI芯片封裝面積小于或等于LSI芯片面積12的封裝稱為CSP。由于許多CSP采用BGA的形式，所以zui近兩年封裝界人士認為，焊球節距大于等于lmm的為BGA，小于lmm的為CSP。由于CSP具有突出的優點：①近似芯片尺寸的小型封裝；②保護裸芯片；③電、熱；④封裝密度；⑤便于測試和老化；⑥便于焊接、安裝和修整換。因此，九十年代中期得到大跨度的發展，每年增長倍左右。由于CSP正在處于蓬勃發展階段，因此，它的種類有限多。如剛基板CSP、柔基板CSP、引線框架型CSP、微小模塑型CSP、焊區陣列CSP、微型BGA、凸點芯片載體（BCC）、QFN型CSP、芯片迭層型CSP和圓片CSP（WLCSP）等。CSP的引腳節距般在1.0mm以下，有1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm和0.25mm等。表2示出了CSP系列。

　　般地CSP，都是將圓片切割成單個IC芯片后再實施后道封裝的，而WLCSP則不同，它的或大部分工藝步驟是在已完成前工序的硅圓片上完成的，zui后將圓片直接切割成分離的立器件。所以這種封裝也稱作圓片封裝（WLP） 。因此，除了CSP的共同優點外，它還具有的優點：①封裝加工效率，可以多個圓片同時加工；②具有倒裝芯片封裝的優點，即輕、薄、短、小；③與前工序相比，只是增加了引腳重新布線（RDL）和凸點制作兩個工序，其余是傳統工藝；④減少了傳統封裝中的多次測試。因此上各大型IC封裝公司紛紛投入這類WLCSP的研究、開發和生產。WLCSP的不足是目前引腳數較低，還沒有化和成本較。圖4示出了WLCSP的外形圖。圖5示出了這種WLCSP的工藝流程。

　　CSP封裝內存芯片的中心引腳形式地縮短了信號的傳導距離，其衰減隨之減少，芯片的、抗噪能也能得到大幅提升，這也使得CSP的存取時間比BGA改善15%-2。在CSP的封裝方式中，內存顆粒是通過個個錫球焊接在PCB板上，由于焊點和PCB板的接觸面積較大，所以內存芯片在運行中所產生的熱量可以很地傳導到PCB板上并散發出去。CSP封裝可以從背面散熱，且熱效率良好，CSP的熱阻為35℃/W，而TSOP熱阻40℃/W。

　　CSP是在電子產品的新換代時提出來的，它的目的是在使用大芯片（芯片功能多，能好，芯片復雜）替代以前的小芯片時，其封裝體占用印刷板的面積保持不變或小。正是由于CSP產品的封裝體小、薄，因此它的手持式移動電子設備中迅速獲得了應用。在1996年8月，日本Sharp公司就開始了批量生產CSP產品；在1996年9月，日本索尼公司開始用日本TI和NEC公司提供的CSP產品組裝攝像機；在1997年，美國也開始生產CSP產品。上有幾十家公司可以提供CSP產品，CSP產品品種多達百種以上。[

　　WLCSP所涉及的關鍵除了前工序所必須的金屬淀積、光刻、蝕刻等以外，還包括重新布線（RDL）和凸點制作。通常芯片上的引出端焊盤是排到在管芯周邊的方形鋁層，為了使WLP適應了SMT二封裝較寬的焊盤節距，需將這些焊盤重新分布，使這些焊盤由芯片周邊排列改為芯片有源面上陣列排布，這就需要重新布線（RDL）。焊料凸點制作可采用電鍍法、化學鍍法、蒸發法、置球法和焊膏印刷法。目前仍以電鍍法，其次是焊膏印刷法。重新布線中UBM材料為Al/Niv/Cu、T1/Cu/Ni或Ti/W/Au。所用的介質材料為光敏BCB（苯并環丁烯）或PI（聚酰亞胺）凸點材料有Au、PbSn、AuSn、In等。 3.3 3D封裝

　　3D封裝主要有三種類型，即埋置型3D封裝，當前主要有三種途徑：種是在基板內或多層布線介質層中"埋置"R、C或IC等元器件，zui上層再貼裝SMC和SMD來實現立體封裝，這種結構稱為埋置型3D封裝；第二種是在硅圓片規模集成（WSl）后的有源基板上再實行多層布線，zui上層再貼裝SMC和SMD，從而構成立體封裝，這種結構稱為有源基板型3D封裝；第三種是在2D封裝的基礎上，把多個裸芯片、封裝芯片、多芯片組件甚至圓片進行疊層互連，構成立體封裝，這種結構稱作疊層型3D封裝。原因有兩個。是巨大的手機和其它消費類產品市場的驅動，要求在增加功能的同時減薄封裝厚度。二是它所用的工藝基本上與傳統的工藝相容，經過改進很快能批量生產并投入市場。據Prismarks預測，的手機銷售量將從2001年的393M增加到2006年的785M～1140M。年增長率達到15～24%。因此在這個基礎上估計，疊層裸芯片封裝從目前到2006年將以50～6的速度增長。圖6示出了疊層裸芯片封裝的外形。它的目前水平和發展趨勢示于表3。

　　疊層裸芯片封裝有兩種疊層方式，種是金字塔式，從底層向上裸芯片尺寸越來越小；另種是懸梁式，疊層的芯片尺寸樣大。應用于手機的初期，疊層裸芯片封裝主要是把FlashMemory和SRAM疊在起，目前已能把FlashMemory、DRAM、邏輯IC和模擬IC等疊在起。疊層裸芯片封裝所涉及的關鍵有如下幾個。①圓片減薄，由于手機等產品要求封裝厚度越來越薄，目前封裝厚度要求在1.2mm以下甚至1.0mm。而疊層芯片數又不斷增加，因此要求芯片必須減薄。圓片減薄的方法有機械研磨、化學刻蝕或ADP（Atmosphere DownstreamPlasma）。機械研磨減薄般在150μm左右。而用等離子刻蝕方法可達到100μm，對于75-50μm的減薄正在研發中；②低弧度鍵合，因為芯片厚度小于150μm，所以鍵合弧度必須小于150μm。與此同時，反向引線鍵合要增加個打彎工藝以不同鍵合層的間隙；③懸梁上的引線鍵合，懸梁越長，鍵合時芯片變形越大，必須優化設計和工藝；④圓片凸點制作；⑤鍵合引線無擺動（NOSWEEP）模塑。由于鍵合引線密度，長度長，形狀復雜，增加了短路的可能。使用低粘度的模塑料和降低模塑料的轉移速度減小鍵合引線的擺動。目前已發明了鍵合引線無擺動（NOSWEEP）模塑。

　　3.4系統封裝（SIP）

　　實現電子整機系統的功能，通常有兩個途徑。種是系統芯片（Systemon Chip），簡稱SOC。即在單的芯片上實現電子整機系統的功能；另種是系統封裝（SysteminPackage），簡稱SIP。即通過封裝來實現整機系統的功能。從學術上講，這是兩條路線，就象單片集成電路和混合集成電路樣，各有各的優勢，各有各的應用市場。在上和應用上都是相互補充的關系，作者認為，SOC應主要用于應用周期較長的產品，而SIP主要用于應用周期較短的消費類產品。

　　SIP 的個重要特點是它不定義要建立的會話的類型，而只定義應該如何管理會話。有了這種靈活，也就意味著SIP可以用于眾多應用和服務中，包括交互式游戲、音樂和視頻點播以及語音、視頻和 Web 會議。SIP消息是基于文本的，因而易于讀取和調試。新服務的編程加簡單，對于設計人員而言加直觀。SIP如同電子郵件客戶機樣重用 MIME 類型描述，因此與會話相關的應用程序可以自動啟動。SIP 重用幾個現有的比較成熟的 Internet 服務和協議，如 DNS、RTP、RSVP 等。

　　SIP 較為靈活，可擴展，而且是開放的。它激發了 Internet 以及固定和移動 IP 網絡推出服務的威力。SIP 能夠在多臺 PC 和上完成網絡消息，模擬 Internet 建立會話。

　　SIP是使用成熟的組裝和互連，把集成電路如CMOS電路、GaAs電路、SiGe電路或者光電子器件、MEMS器件以及無源元件如電容、電感等集成到個封裝體內，實現整機系統的功能。主要的優點包括：①采用現有商用元器件，制造成本較低；②產品進入市場的周期短；③無論設計和工藝，有較大的靈活；④把不同類型的電路和元件集成在起，相對實現。美國佐治亞理工學院PRC研究開發的單集成模塊（SingleIntegrated Module）簡稱SLIM，就是SIP的，該項目完成后，在封裝效率、能和方面提10倍，尺寸和成本較大下降。到2010年預期達到的目標包括布線密度達到6000cm/cm2;熱密度達到100W/cm2;元件密度達到5000/cm2;I/O密度達到3000/cm2。

　　盡管SIP還是種新，目前尚不成熟，但仍然是個有發展前景的，尤其在中國，可能是個發展整機系統的捷徑。

　　4 思考和建議

　　面對蓬勃發展的微電子封裝形勢，分析我國目前的現狀，我們必須深思些問題。

　　（1）微電子封裝與電子產品密不可分，已經成為制約電子產品乃至系統發展的核心，是電子行業制造，誰掌握了它，誰就將掌握電子產品和系統的未來。

　　（2）微電子封裝必須與時俱進才能發展。微電子封裝的歷史證明了這點。我國微電子封裝如何與時俱進？當務之急是研究我國微電子封裝的發展戰略，制訂發展規劃。二是優化我國微電子封裝的科研生產體系。三是積倡導和大力發展屬于我國自主知識產權的原創。否則，我們將越跟蹤越落后。在這點上，我們可以很好地借鑒韓國和中國臺灣的經驗。

　　（3）度重視微電子三封裝的垂直集成。我們應該以電子系統為，牽動、二和三封裝，方能占領市場，提經濟效益，不斷發展。我們曾倡議把手機和作為平臺發展我國的微電子封裝，就是出于這種考慮。

　　（4）度重視不同領域和的交叉及融合。不同材料的交叉和融合產生新的材料；不同交叉和融合產生新的；不同領域的交叉和融合產生新的領域。過去，同行業交流很多，但不同行業交流不夠。我們應該充分發揮電子學會各分會的作用，積組織這種交流。

　　（5）我們的觀念、和管理必須與接軌，走合作之路，把我們民族的精華與精彩的溶為體，共同發展。